Temperature-dependent recombination coefficients in InGaN light-emitting diodes: Hole localization, Auger processes, and the green gap
Nippert, Felix, Karpov, Sergey Yu., Callsen, Gordon, Galler, Bastian, Kure, Thomas, Nenstiel, Christian, Wagner, Markus R., Straßburg, Martin, Lugauer, Hans-Jürgen und Hoffmann, Axel (2016) Temperature-dependent recombination coefficients in InGaN light-emitting diodes: Hole localization, Auger processes, and the green gap. Applied Physics Letters 109 (16), S. 161103.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 17 Mrz 2020 12:07
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Applied Physics Letters | ||||
| Band: | 109 | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 16 | ||||
| Seitenbereich: | S. 161103 | ||||
| Datum | 2016 | ||||
| Institutionen | Nicht ausgewählt | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | Nicht ausgewählt | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 42908 |
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