In this thesis, we study single GaAs nanowires under various aspects. Owing to the unique possibility to synthesize nanowires in the meta-stable wurtzite crystal phase, together with their dielectrically peculiar, elongated shape, the focus is laid on two main subjects:
On the one hand, the tunability of the core diameter and the shell thickness in our advanced MBE growth process offers a unique access to spectroscopy in the 1D quantum regime in semiconductors. Our combined spectral-, polarization- and time-resolved experiments complement previous studies on the electronic disperion and the peculiar optical properties of wurtzite GaAs.
Secondly, we exploit the inherent dual functionality of semiconductor nanowires to simultaneously act as both, gain medium and optical resonator. Inspired by previous studies on plasmonic and hybridized plasmonic waveguides and lasers, we investigate our own material system, based on GaAs/AlGaAs core/shell nanowires, with respect to their lasing behavior in different waveguide designs.

In dieser Arbeit untersuchen wir verschiedene Aspekte von einzelnen GaAs Nanodrähten. Wegen der einzigartigen Fähigkeit, Nanodrähte in der metastabilen Wurtzit-Kristallphase zu synthetisieren, zusammen mit ihrer dielektrischen Eigenschaft und länglichen Form, wird der Fokus auf zwei Hauptbereiche gelegt:
Einerseits bietet uns die Möglichkeit, den Kerndurchmesser und die Schalendicke durch unseren MBE-Wachstumsprozess anzupassen, einen einzigartigen Zugang zu Spektroskopie im 1D-Quantenregime in Halbleitern. Unsere kombinierten, spektral-, polarisations- und zeitauflgelösten Experimente ergänzen frühere Studien zur elektronischen Dispersion und den besonderen optischen Eigenschaften von Wurtzit GaAs.
Zweitens nutzen wir die inhärente Doppelfunktionalität von Halbleiternanodrähten, gleichzeitig als Verstärkungsmedium und optischer Resonator zu fungieren. Inspiriert von früheren Studien zu plasmonischen und hybrid-plasmonischen Wellenleitern und Lasern untersuchen wir unser eigenes Materialsystem, basierend auf GaAs/AlGaAs Kern/Schale-Nanodrähten hinsichtlich ihres Lasingverhaltens in verschiedenen Wellenleiterdesigns.