The Stacking Faulted Nature of the Narrow Gap Semiconductor Sc2Si2Te6
Artikel
Pielnhofer, Florian
, Bette, Sebastian, Eger, Roland, Duppel, Viola, Nuss, Jürgen , Dolle, Christian, Dinnebier, Robert E. und Lotsch, Bettina V.
(2022)
The Stacking Faulted Nature of the Narrow Gap Semiconductor Sc2Si2Te6.
Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie 648 (21).
Alternative Links zum Volltext
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie | ||||
| Verlag | Wiley | ||||
| Ort der Veröffentlichung | WEINHEIM | ||||
| Band | 648 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels | 21 | ||||
| Datum | 2022 | ||||
| Veröffentlichungsdatum | 29 Feb 2024 12:53 | ||||
| Institutionen | Chemie und Pharmazie > Institut für Anorganische Chemie | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Stichwörter / Keywords | CRYSTAL-STRUCTURE; THERMOELECTRIC PROPERTIES; LAMELLAR TELLUROSILICATE; MAGNETIC-STRUCTURE; AB-INITIO; DIFFRACTION; REFINEMENT; PROGRAM; PHASE; van der Waals; honeycomb; stacking faults; powder diffraction; TEM; DFT | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 540 Chemie | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 57275 |
Bibliographische Daten exportieren
Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags
Altmetric
Altmetric