The Stacking Faulted Nature of the Narrow Gap Semiconductor Sc2Si2Te6
Pielnhofer, Florian
, Bette, Sebastian, Eger, Roland, Duppel, Viola, Nuss, Jürgen , Dolle, Christian, Dinnebier, Robert E. und Lotsch, Bettina V.
(2022)
The Stacking Faulted Nature of the Narrow Gap Semiconductor Sc2Si2Te6.
Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie 648 (21).
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 29 Feb 2024 12:53
Artikel
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie | ||||
| Verlag: | Wiley | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Ort der Veröffentlichung: | WEINHEIM | ||||
| Band: | 648 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 21 | ||||
| Datum | 2022 | ||||
| Institutionen | Chemie und Pharmazie > Institut für Anorganische Chemie | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Stichwörter / Keywords | CRYSTAL-STRUCTURE; THERMOELECTRIC PROPERTIES; LAMELLAR TELLUROSILICATE; MAGNETIC-STRUCTURE; AB-INITIO; DIFFRACTION; REFINEMENT; PROGRAM; PHASE; van der Waals; honeycomb; stacking faults; powder diffraction; TEM; DFT | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 540 Chemie | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 57275 |
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