Atomic-Scale Engineering of the Electrostatic Landscape of Semiconductor Surfaces
Gohlke, David
, Mishra, Rohan , Restrepo, Oscar D., Lee, Donghun, Windl, Wolfgang und Gupta, Jay
(2013)
Atomic-Scale Engineering of the Electrostatic Landscape of Semiconductor Surfaces.
Nano Letters 13 (6), S. 2418-2422.
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 19 Dez 2024 08:39
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Nano Letters | ||||
| Verlag: | AMER CHEMICAL SOC | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Ort der Veröffentlichung: | WASHINGTON | ||||
| Band: | 13 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 6 | ||||
| Seitenbereich: | S. 2418-2422 | ||||
| Datum | 2013 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Arbeitsgruppe Jascha Repp | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Stichwörter / Keywords | INITIO MOLECULAR-DYNAMICS; RESONANT PHOTOEMISSION; SINGLE DOPANTS; MN; GAAS; GA1-XMNXAS; DEFECTS; VACANCY; ENERGY; STATES; Surface potential; solotronics; charged adatoms; GaAs; atomic manipulation | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 62506 |
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