Growth and coalescence behavior of semipolar 
GaN on pre‐structured r‐plane sapphire substrates
Artikel
Schwaiger, Stephan, Metzner, Sebastian, Wunderer, Thomas, Argut, Ilona, Thalmair, Johannes, Lipski, Frank, Wieneke, Matthias, Bläsing, Jürgen, Bertram, Frank
, Zweck, Josef, Krost, Alois, Christen, Jürgen und Scholz, Ferdinand
(2011)
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | physica status solidi (b) | ||||
| Verlag | WILEY-BLACKWELL | ||||
| Ort der Veröffentlichung | MALDEN | ||||
| Band | 248 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels | 3 | ||||
| Seitenbereich | S. 588-593 | ||||
| Datum | 2011 | ||||
| Veröffentlichungsdatum | 19 Dez 2024 11:13 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Lehrstuhl Professor Back > Arbeitsgruppe Josef Zweck | ||||
| Identifikationsnummer |
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| Stichwörter / Keywords | GALLIUM NITRIDE FILMS; SIDE FACETS; LAYERS; semipolar GaN; patterned sapphire; MOVPE; coalescence; marker layer | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 65168 |
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