Growth and coalescence behavior of semipolar 
GaN on pre‐structured r‐plane sapphire substrates
Schwaiger, Stephan, Metzner, Sebastian, Wunderer, Thomas, Argut, Ilona, Thalmair, Johannes, Lipski, Frank, Wieneke, Matthias, Bläsing, Jürgen, Bertram, Frank 
, Zweck, Josef, Krost, Alois, Christen, Jürgen und Scholz, Ferdinand
(2011)
Growth and coalescence behavior of semipolar Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 19 Dez 2024 11:13
Artikel
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | physica status solidi (b) | ||||
| Verlag: | WILEY-BLACKWELL | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Ort der Veröffentlichung: | MALDEN | ||||
| Band: | 248 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 3 | ||||
| Seitenbereich: | S. 588-593 | ||||
| Datum | 2011 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Lehrstuhl Professor Back > Arbeitsgruppe Josef Zweck | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Stichwörter / Keywords | GALLIUM NITRIDE FILMS; SIDE FACETS; LAYERS; semipolar GaN; patterned sapphire; MOVPE; coalescence; marker layer | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 65168 |
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