Electrostatically defined quantum dots in a Si/SiGe heterostructure
Wild, A, Sailer, J, Nützel, J, Abstreiter, G, Ludwig, S
und Bougeard, D
(2010)
Electrostatically defined quantum dots in a Si/SiGe heterostructure.
New Journal of Physics 12 (11), S. 113019.
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 19 Dez 2024 11:31
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | New Journal of Physics | ||||
| Verlag: | IOP PUBLISHING LTD | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Ort der Veröffentlichung: | BRISTOL | ||||
| Band: | 12 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 11 | ||||
| Seitenbereich: | S. 113019 | ||||
| Datum | 2010 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Stichwörter / Keywords | SI/SI0.7GE0.3 HETEROSTRUCTURE; POINT-CONTACT; TRANSPORT; SPIN; SILICON; NANOSTRUCTURES; POLARIZATION; RELAXATION; SI; | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 65582 |
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