Critical behavior from the anomalous Hall effect in (GaMn)As
Jiang, Wanjun
, Wirthmann, André, Gui, Y. S., Zhou, X. Z., Reinwald, M., Wegscheider, W., Hu, C.-M. und Williams, Gwyn
(2009)
Critical behavior from the anomalous Hall effect in (GaMn)As.
Physical Review B 80 (21).
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 19 Dez 2024 11:58
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Physical Review B | ||||
| Verlag: | AMER PHYSICAL SOC | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Ort der Veröffentlichung: | COLLEGE PK | ||||
| Band: | 80 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 21 | ||||
| Datum | 2009 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Stichwörter / Keywords | FERROMAGNETISM; SEMICONDUCTORS; (GA,MN)AS; MN)AS; (GA; critical phenomena; ferromagnetic materials; gallium compounds; Hall effect; magnetic epitaxial layers; magnetic semiconductors | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 66742 |
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