Growth of crack-free GaN on Si(111) with graded AlGaN buffer layers
Able, A., Wegscheider, W., Engl, K. und Zweck, J. (2005) Growth of crack-free GaN on Si(111) with graded AlGaN buffer layers. Journal of Crystal Growth 276 (3-4), S. 415-418.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 19 Dez 2024 15:03
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Journal of Crystal Growth | ||||
| Verlag: | ELSEVIER SCIENCE BV | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Ort der Veröffentlichung: | AMSTERDAM | ||||
| Band: | 276 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 3-4 | ||||
| Seitenbereich: | S. 415-418 | ||||
| Datum | 2005 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider | ||||
| Identifikationsnummer |
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| Stichwörter / Keywords | ALN; SAPPHIRE; SILICON; metalorganic vapor phase epitaxy; nitrides; semiconducting III-V materials | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 70821 |
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