Growth of crack-free GaN on Si(111) with graded AlGaN buffer layers
Artikel
Able, A., Wegscheider, W., Engl, K. und Zweck, J. (2005) Growth of crack-free GaN on Si(111) with graded AlGaN buffer layers. Journal of Crystal Growth 276 (3-4), S. 415-418.Alternative Links zum Volltext
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Journal of Crystal Growth | ||||
| Verlag | ELSEVIER SCIENCE BV | ||||
| Ort der Veröffentlichung | AMSTERDAM | ||||
| Band | 276 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels | 3-4 | ||||
| Seitenbereich | S. 415-418 | ||||
| Datum | 2005 | ||||
| Veröffentlichungsdatum | 19 Dez 2024 15:03 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Stichwörter / Keywords | ALN; SAPPHIRE; SILICON; metalorganic vapor phase epitaxy; nitrides; semiconducting III-V materials | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 70821 |
Bibliographische Daten exportieren
Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags
Altmetric
Altmetric