MeV-boron implanted layer, oxygen precipitates and poly-silicon back side combined in one silicon wafer: at what defect will Cu and Ni be gettered?
Artikel
Hölzl, R., Fabry, L., Range, K.-J. und Pech, R. (2002) MeV-boron implanted layer, oxygen precipitates and poly-silicon back side combined in one silicon wafer: at what defect will Cu and Ni be gettered? Applied Physics A: Materials Science & Processing 74 (4), S. 545-551.Alternative Links zum Volltext
Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Applied Physics A: Materials Science & Processing | ||||
| Verlag | SPRINGER-VERLAG | ||||
| Ort der Veröffentlichung | NEW YORK | ||||
| Band | 74 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels | 4 | ||||
| Seitenbereich | S. 545-551 | ||||
| Datum | 2002 | ||||
| Veröffentlichungsdatum | 19 Dez 2024 15:43 | ||||
| Institutionen | Chemie und Pharmazie > Institut für Anorganische Chemie | ||||
| Identifikationsnummer |
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| Stichwörter / Keywords | COPPER; DIFFUSION; CONTAMINATION; KINETICS; LIFETIME; IRON; FE; | ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 540 Chemie | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Ja | ||||
| Dokumenten-ID | 73046 |
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