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Vorobjev, L. E. ; Firsov, D. A. ; Shalygin, Vadim ; Panevin, V. Y. ; Sofronov, A. N. ; Ustinov, V. M. ; Zhukov, A. E. ; Egorov, A. Yu. ; Andrianov, A. V. ; Zakhar'in, A. O. ; Ganichev, Sergey ; Danilov, Sergey ; Kozlov, D. V.

Terahertz luminescence and absorption under impurity breakdown in quantum wells and
strained semiconductor layers

Vorobjev, L. E., Firsov, D. A., Shalygin, Vadim, Panevin, V. Y., Sofronov, A. N., Ustinov, V. M., Zhukov, A. E., Egorov, A. Yu., Andrianov, A. V., Zakhar'in, A. O., Ganichev, Sergey, Danilov, Sergey und Kozlov, D. V. (2008) Terahertz luminescence and absorption under impurity breakdown in quantum wells and
strained semiconductor layers.
Acta Physica Polonica A 113, S. 925.

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:59
Artikel


Beteiligte Einrichtungen


Details

DokumentenartArtikel
Titel eines Journals oder einer ZeitschriftActa Physica Polonica A
Band:113
Seitenbereich:S. 925
Datum2008
InstitutionenPhysik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
StatusVeröffentlicht
BegutachtetJa, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstandenJa
Dokumenten-ID8340

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