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Wittmann, Bernhard ; Golub, Leonid ; Danilov, Sergey ; Karch, J. ; Reitmaier, C. ; Kvon, Z. D. ; Vinh, N. Q. ; van der Meer, A. F. G. ; Murdin, B. ; Ganichev, Sergey

Resonant circular photogalvanic effect in GaN/AlGaN heterojunctions

Wittmann, Bernhard, Golub, Leonid , Danilov, Sergey, Karch, J., Reitmaier, C., Kvon, Z. D., Vinh, N. Q., van der Meer, A. F. G., Murdin, B. und Ganichev, Sergey (2008) Resonant circular photogalvanic effect in GaN/AlGaN heterojunctions. Physical Review B (PRB) 78, S. 205435.

Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:59
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.8347


Zusammenfassung

The resonant circular photogalvanic effect is observed in wurtzite (0001)-oriented GaN low-dimensional structures excited by infrared radiation. The current is induced by angular-momentum transfer of photons to the photoexcited electrons at resonant intersubband optical transitions in a GaN/AlGaN heterojunction. The signal reverses upon the reversal of the radiation helicity or, at fixed ...

The resonant circular photogalvanic effect is observed in wurtzite (0001)-oriented GaN low-dimensional structures excited by infrared radiation. The current is induced by angular-momentum transfer of photons to the photoexcited electrons at resonant intersubband optical transitions in a GaN/AlGaN heterojunction. The signal reverses upon the reversal of the radiation helicity or, at fixed helicity, when the propagation direction of the photons is reversed. Making use of the tunability of the free-electron laser FELIX, we demonstrate that the current direction changes by sweeping the photon energy through the intersubband resonance condition, in agreement with theoretical considerations.



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Details

DokumentenartArtikel
Titel eines Journals oder einer ZeitschriftPhysical Review B (PRB)
Verlag:AMER PHYSICAL SOC
Ort der Veröffentlichung:COLLEGE PK
Band:78
Seitenbereich:S. 205435
Datum2008
InstitutionenPhysik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Identifikationsnummer
WertTyp
10.1103/PhysRevB.78.205435DOI
Stichwörter / KeywordsFIELD-EFFECT TRANSISTORS; ALGAN/GAN;
Dewey-Dezimal-Klassifikation500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
StatusVeröffentlicht
BegutachtetJa, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstandenJa
URN der UB Regensburgurn:nbn:de:bvb:355-epub-83474
Dokumenten-ID8347

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