URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-98175
Einwanger, Andreas, Ciorga, Mariusz, Wurstbauer, Ulrich, Schuh, Dieter, Wegscheider, Werner und Weiss, Dieter (2009) Tunneling anisotropic spin polarization in lateral (Ga,Mn)As/GaAs spin Esaki diode devices. Applied Physics Letters 95, S. 152101.
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Zusammenfassung
We report here on anisotropy of spin polarization obtained in lateral all-semiconductor, all-electrical spin injection devices employing p+-(Ga,Mn)As/n+-GaAs Esaki diode structures as spin aligning contacts, resulting from the dependence of the efficiency of spin tunneling on the orientation of spins with respect to different crystallographic directions. We observed an in-plane anisotropy of 8% ...
Bibliographische Daten exportieren
| Dokumentenart: | Artikel | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Datum: | 12 Oktober 2009 | ||||||
| Institutionen: | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Weiss > Arbeitsgruppe Dieter Weiss Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider | ||||||
| Projekte: | SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen | ||||||
| Identifikationsnummer: |
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| Klassifikation: |
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| Stichwörter / Keywords: | gallium arsenide, III-V semiconductors, manganese compounds, spin polarised transport, tunnel diodes, tunnelling | ||||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation: | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||||
| Status: | Veröffentlicht | ||||||
| Begutachtet: | Ja, diese Version wurde begutachtet | ||||||
| An der Universität Regensburg entstanden: | Ja | ||||||
| Eingebracht am: | 20 Okt 2009 12:14 | ||||||
| Zuletzt geändert: | 08 Mrz 2017 08:22 | ||||||
| Dokumenten-ID: | 9817 |
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