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Tunneling anisotropic spin polarization in lateral (Ga,Mn)As/GaAs spin Esaki diode devices

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-epub-98175

Einwanger, Andreas, Ciorga, Mariusz, Wurstbauer, Ulrich, Schuh, Dieter, Wegscheider, Werner und Weiss, Dieter (2009) Tunneling anisotropic spin polarization in lateral (Ga,Mn)As/GaAs spin Esaki diode devices. Applied Physics Letters 95, S. 152101.

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Andere URL zum Volltext: http://link.aip.org/link/?APPLAB/95/152101/1


Zusammenfassung

We report here on anisotropy of spin polarization obtained in lateral all-semiconductor, all-electrical spin injection devices employing p+-(Ga,Mn)As/n+-GaAs Esaki diode structures as spin aligning contacts, resulting from the dependence of the efficiency of spin tunneling on the orientation of spins with respect to different crystallographic directions. We observed an in-plane anisotropy of 8% ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:12 Oktober 2009
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Weiss > Arbeitsgruppe Dieter Weiss
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Projekte:SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen
Identifikationsnummer:
WertTyp
doi:10.1063/1.3247187DOI
Klassifikation:
NotationArt
85.30.MnPACS
81.05.EaPACS
Stichwörter / Keywords:gallium arsenide, III-V semiconductors, manganese compounds, spin polarised transport, tunnel diodes, tunnelling
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:20 Okt 2009 12:14
Zuletzt geändert:08 Mrz 2017 08:22
Dokumenten-ID:9817
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