Im Mittelpunkt des Projektes steht die Untersuchung von elektrischen Transportphänomenen in niedrigdimensionalen und zum Teil nanostrukturierten Halbleitersystemen (GaAs- SiGe-, and InAs- basierte Quantentröge) und Topologischen Isolatoren (auf der Basis von HgTe) unter dem Einfluss von Terahertzstrahlung. Phänomene, die sowohl experimentell als auch theoretisch untersucht werden sollen, sind terahertzinduzierte Magnetowiderstandsoszillationen (TIROs), und polarisationsabhängige riesige Fotoströme bei Zyklotronresonanz. Die Theorie der oben genannten Effekte soll im Rahmen einer langfristigen Kooperation mit Kollegen aus dem Ioffe Institut entwickelt werden. Eine zentrale Rolle im Rahmen dieser Untersuchungen spielen die terahertzinduzierten Magnetowiderstandsoszillationen, das sind 1/B periodische Widerstands-oszillationen, die unter Terahertzeinstrahlung in der Leitfähigkeit beobachtet werden. Diese Oszillationen sind den wohlbekannten mikrowelleninduzierten Magnetowiderstandsoszillationen (MIROs) ähnlich, zeigen aber u.a. eine unerwartete Polarisations- und Frequenzabhängigkeit, welche das gegenwärtige Verständnis dieses Effekts in Frage stellen. Das Gesamtziel des Projektes ist es die zugrundeliegenden Mechanismen dieser Oszillationen und verwandter terahertzinduzierter Effekte zu untersuchen und aufzuklären.
