Multilagenstrukturen A-B-A... aus verschiedenen leitfähigen Materialien A und B stellen ein thermoelektrisch anisotropes Medium dar.Sofern sich mit A und B metallische und halbleitende Schichten abwechseln, kann extrem hohe Anisotropie erzielt werden. Dies wurde soeben erstmals experimentell gezeigt: An Multilagenschichten aus Aluminium und Silizium wurde eine thermoelektrische Anisotropie ¿S ¿ 1,5 mV/K beobachtet, der derzeit höchste bekannte Wert [1].In diesem Projekt sollen durch Anlegieren verschiedene Metall- Halbleiter-Multilagenstrukturen hergestellt werden. Multilagenstrukturen mit großen ¿S-Werten sind zum einen für die Entwicklung neuartiger thermoelektrischer Strahlungsdetektoren (UV bis IR) und schneller Temperatursensoren interessant. Die hohe Anisotropie von Metall-Halbleiter-Multilagen lässt darüber hinaus erstmals die Beobachtung eines transversalen Peltier-Effekts möglich erscheinen, insbesondere da für den Figure of merit Z beim transversalen Peltier-Effekt Z ¿ ¿S2 zu erwarten ist.
