Im Zentrum der Untersuchungen soll der Magnetowiderstand dichtemodulierter zweidimensionaler Elektronensysteme in quantisierenden Magnetfeldern stehen. Über strukturierte Gateelektroden oder über die Methode der in-situ-interferometrischen Belichtung kann einem zweidimensionalen Elektronengas eine ein- oder zweidimensionale Dichtemodulation aufgeprägt werden, welche die Transportkoeffizienten pxx und pxy in kleinen Magnetfeldern aber auch im Bereich der Quanten-Hall-Effekte charakteristisch modifizieren kann. Neben der Modifikation der Transportkoeffizienten im periodischen Potential sollen im Rahmen dieses Projektes insbesondere Transportanisotropien untersucht werden. Diese Anisotropien können ihre Ursache in der Form der aufgeprägten Potentiallandschaft, der Orientierung eines periodisch nanostrukturierten Gates relativ zur Kristallstruktur oder aber möglicherweise auch in einer selbstorganisierenden Strukturbildung des Elektronengases (Ladungsdichtewelle) haben. Diese Anisotropien wollen wir untersuchen, wobei ein Ziel des Projektes die Implementierung der in-situ-interferometrischen (ISI) Lithographie in ein Hochfeldmagnetsystem ist, das Experimente bei Temperaturen kleiner 50 mK und in Magnetfeldern bis zu 19 T erlaubt.
