Ziel ist die laterale Injektion spinpolarisierter Ladungsträger in zweidimensionale Ladungsträgersysteme- eine Situation wie sie das Konzept des Datta-Das-Spintransistors erfordert - aus den ferro- bzw.semimagnetischen Halbleitern GaMnAs und ZnMnSe zu erforschen. Der Nachweis eines spinpolarisiertenLöcher- oder Elektronstromes an der AlGaAs/GaAs Grenzfläche soll über den Spin-ValveEffekt, der Leitwertsquantisierung an einem Quanten-Punktkontakt und mittels Mikro-Photolumineszenzspektroskopiegeführt werden.
