Ab-initio-Berechnung der Struktur und Dynamik von Oberflächen unter Benutzung von molekulardynamischen Methoden und der Dichtefunktionalstörungstheorie

Im Projekt sollen mit Ab-initio-Methoden auf der Grundlage der Dichtefunktionaltheorie die Struktur und die Dynamik von reinen und bedeckten Halbleiteroberflächen untersucht werden. Dabei sollen insbesondere folgende Problemkreise bearbeitet werden. 1. Erstellung eines molekulardynamischen Programms, das die Dichtefunktionaltheorie auf einer Basis mit lokalisierten Funktionen und ebenen Wellen verwendet. 2. Struktur und Dynamik der verschiedenen Rekonstruktionen von Germanium- und Siliziumoberflächen; Untersuchung der Übergänge zwischen diesen Strukturen. 3. Bildung und Dynamik von Adsorbaten auf Halbleiteroberflächen. 4. Wachstum von Schichten auf Halbleiteroberflächen.