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Herstellung und Charakterisierung von ferromagnetischem GaMnAs auf der GaAs (001)- und (311)A-Oberfläche

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-opus-6333

Reinwald, Matthias (2006) Herstellung und Charakterisierung von ferromagnetischem GaMnAs auf der GaAs (001)- und (311)A-Oberfläche. Dissertation, Universität Regensburg.

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Zusammenfassung (Deutsch)

Die im Rahmen dieser Arbeit aufgebaute Zwei-Kammer-Molekularstrahlepitaxieanlage ermöglicht es, sowohl GaAs/AlGaAs-Heterostrukturen mit hohen Elektronenbeweglichkeiten als auch den verdünnten magnetische Halbleiter GaMnAs herzustellen. Ferromagnetisches GaMnAs mit einigen Prozent Mangan zeigt in der Regel metallisches Verhalten, wobei Löcher als Ladungsträger dienen. Insofern wäre es interessant, ...

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Übersetzung der Zusammenfassung (Englisch)

The two-chamber molecular beam epitaxy system that was built for this thesis permits to produce GaAs/AlGaAs-heterostructures with high electron mobilities as well as the diluted magnetic semiconductor GaMnAs. Ferromagnetic GaMnAs with manganese concentrations of some percent shows usually metallich behaviour, with holes acting as charge carriers. So it might be promissing to carry out spin ...

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Dokumentenart:Hochschulschrift der Universität Regensburg (Dissertation)
Datum:8 März 2006
Begutachter (Erstgutachter):Werner (Prof. Dr.) Wegscheider
Tag der Prüfung:21 Februar 2006
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Klassifikation:
NotationArt
75.50.PpPACS
71.20.NrPACS
61.82.FkPACS
Stichwörter / Keywords:Molekularstrahlepitaxie , Ferromagnetismus , Halbleiter , Drei-Fünf-Halbleiter , Gallumarsenid , Manganarsenide , Semimagnetischer Halbleiter , Magnetoelektronik , Galliummanganarsenid , GaMnAs , molecular beam epitaxy , ferromagnetism , semiconductor , GaMnAs
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:27 Okt 2009 07:44
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 11:37
Dokumenten-ID:10420
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