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Spin polarized tunneling and spin injection in Fe-GaAs hybrid structures

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-opus-7160
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.10468
Chen, Peifeng
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 26 Sep 2006 07:51


Zusammenfassung (Englisch)

Spin electronics, or spintronics, is a new branch of electronics whereby the spin degree of freedom in electronic devices is employed. For understanding the physics of spin injection in semiconductors, this thesis is aimed at contributing to fabricate ferromagnetic metal-semiconductor hybrid structures, typically Fe-GaAs hybrid structures, in which the spin-polarized transport phenomena are ...

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Übersetzung der Zusammenfassung (Deutsch)

An Fe/GaAs/Fe/Co magnetischen Tunnelelementen werden bei unterschiedlichen Temperaturen der TMR-Effekt und die I-U- Charakteristik gemessen. Die Interpretation der experimentellen Daten durch das theoretische Modell erlaubt uns, die Qualität der Struktur zu charakterisieren. Spinpolarisiertes Tunneln durch eine schwefelpassivierte GaAs-Barriere wurde untersucht, um Klarheit über den ...

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