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Spin polarized tunneling and spin injection in Fe-GaAs hybrid structures

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-opus-7160

Chen, Peifeng (2006) Spin polarized tunneling and spin injection in Fe-GaAs hybrid structures. Dissertation, Universität Regensburg.

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Zusammenfassung (Englisch)

Spin electronics, or spintronics, is a new branch of electronics whereby the spin degree of freedom in electronic devices is employed. For understanding the physics of spin injection in semiconductors, this thesis is aimed at contributing to fabricate ferromagnetic metal-semiconductor hybrid structures, typically Fe-GaAs hybrid structures, in which the spin-polarized transport phenomena are ...

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Übersetzung der Zusammenfassung (Deutsch)

An Fe/GaAs/Fe/Co magnetischen Tunnelelementen werden bei unterschiedlichen Temperaturen der TMR-Effekt und die I-U- Charakteristik gemessen. Die Interpretation der experimentellen Daten durch das theoretische Modell erlaubt uns, die Qualität der Struktur zu charakterisieren. Spinpolarisiertes Tunneln durch eine schwefelpassivierte GaAs-Barriere wurde untersucht, um Klarheit über den ...

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Dokumentenart:Hochschulschrift der Universität Regensburg (Dissertation)
Datum:25 September 2006
Begutachter (Erstgutachter):Werner (Prof. Dr.) Wegscheider
Tag der Prüfung:19 September 2006
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Klassifikation:
NotationArt
85.75.�dPACS
Stichwörter / Keywords:Magnetoelektronik , Eisen , Galliumarsenid , Tunneleffekt , Spinpolarisiertes Tunneln , Spininjektion , spin polarized tunneling , spin injection
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:27 Okt 2009 07:51
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 11:40
Dokumenten-ID:10468
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