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TMR- und TAMR-Effekt beim Tunneln durch einkristalline GaAs-Barrieren

URN zum Zitieren dieses Dokuments: urn:nbn:de:bvb:355-opus-8783

Moser, Jürgen (2007) TMR- und TAMR-Effekt beim Tunneln durch einkristalline GaAs-Barrieren. Dissertation, Universität Regensburg.

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Zusammenfassung (Deutsch)

Im Rahmen dieser Arbeit wurde der Transport von spinpolarisierten Elektronen über eine ideale Fe/GaAs-Grenzfläche untersucht. Die aufgrund der Präparationsmethode entstehende natürliche Oxidschicht auf der GaAs-Barriere wurde mit einer Wasserstoffplasma-Vorbehandlung reduziert, um damit die Grenzfläche bezüglich der Spininjektion zu optimieren. Außerdem wurde durch den Einsatz einer ...

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Übersetzung der Zusammenfassung (Englisch)

The transport of spin polarized electrons through a Fe/GaAs-interface was investigated. The native oxide layer on the GaAs-barrier which is formed during the sample preparation was reduced with hydrogen plasma to optimize the spin injection. To realize an epitaxial Fe/GaAs interface an UHV-transport chamber was used as well as As-covered wafers. Using hydrogen plasma pretreatment on both ...

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Dokumentenart:Hochschulschrift der Universität Regensburg (Dissertation)
Datum:27 November 2007
Begutachter (Erstgutachter):Prof. Dr. Dieter Weiss
Tag der Prüfung:3 Juli 2007
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Weiss > Arbeitsgruppe Dieter Weiss
Klassifikation:
NotationArt
75.50.BbPACS
75.70.CnPACS
72.25.DcPACS
72.25.MkPACS
75.47.-mPACS
Stichwörter / Keywords:Tunnelmagnetowiderstand , Magnetisches Tunnelelement , Spin-Bahn-Wechselwirkung , Magnetoelektronik , Eisen , Epitaxie , Galliumarsenid , TAMR , spinabhängiger Transport , spinabhängiges Tunneln , spinpolarisierter Transport über Grenzflächen , Magnetotransport phenomena , Spin transport through interfaces , Spin polarized transport in semiconductors , metal-semiconductor-metal interfaces
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:27 Okt 2009 12:10
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 11:49
Dokumenten-ID:10601
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