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3D-Simulation of Novel Quantum Wire Transistors

Wegscheider, Werner und Pigorsch, C. und Klix, W. und Stenzel, R. (1997) 3D-Simulation of Novel Quantum Wire Transistors. physica status solidi b 204 (1), S. 346-349.

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Zusammenfassung

The output characteristics and the electronic behaviour of a quantum wire transistor (QWT) with a 1DEG channel have been simulated. The electron transport processes in the QWT are mainly influenced by quantum mechanical effects. A coupled microscopic/macroscopic simulation algorithm is used to calculate the electron density distribution in the electron gas under consideration of the confinement ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:1997
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1002/1521-3951(199711)204:1<346::AID-PSSB346>3.0.CO;2-RDOI
Klassifikation:
NotationArt
73.40.Lq; 73.61.±rPACS
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:02 Nov 2009 13:26
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 11:58
Dokumenten-ID:10842
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