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Miniband transport in vertical superlattice field-effect transistors

Deutschmann, R. A. und Wegscheider, Werner und Rother, Martin und Bichler, Max und Abstreiter, Gerhard (2001) Miniband transport in vertical superlattice field-effect transistors. Applied Physics Letters 79 (10), S. 1564-1566.

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Zusammenfassung

We study the nonequilibrium transport of two-dimensional electrons through a periodic potential. Our samples are fabricated using the cleaved-edge overgrowth technique to provide a vertical field-effect transistor with an undoped GaAs/AlGaAs superlattice channel orthogonal to the current flow. We find a pronounced negative differential resistance, the magnitude of which increases with increasing ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:3 September 2001
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.1390320DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aip.org/link/?APPLAB/79/1564/1Verlag
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:30 Nov 2009 13:57
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:13
Dokumenten-ID:11183
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