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Gradual facet degradation of (Al,In)GaN quantum well lasers

Kümmler, V. und Lell, Alfred und Härle, Volker und Schwarz, Ulrich und Schoedl, T. und Wegscheider, Werner (2004) Gradual facet degradation of (Al,In)GaN quantum well lasers. Applied Physics Letters 84 (16), S. 2989-2991.

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Zusammenfassung

In our study, III-nitride laser diodes with uncoated facets obtained by cleavage show a much faster degradation than coated ones. An increase in threshold current and drop of slope efficiency suggest increased absorption losses. Degradation experiments in different atmospheres prove the influence of the respective atmosphere and indicate the growth of an oxide film leading to increased ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:19 April 2004
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.1704861DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aip.org/link/?APPLAB/84/2989/1Verlag
Klassifikation:
NotationArt
42.55.Px; 73.63.HsPACS
Stichwörter / Keywords: aluminium compounds, indium compounds, gallium compounds, III-V semiconductors, wide band gap semiconductors, semiconductor lasers, semiconductor quantum wells, absorption
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:11 Jan 2010 13:04
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:20
Dokumenten-ID:11802
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