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MBE-Wachstum von ZnMnSe zur Spininjektion in GaAs/AlGaAs-Heterostrukturen

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-opus-10903
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.12140
Leeb, Tobias
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 14 Jan 2010 15:26



Zusammenfassung (Deutsch)

Gegenstand dieser Arbeit ist die Entwicklung und die Herstellung von Halbleiterheterostrukturen, um mit elektrischen Transportexperimenten den Nachweis der elektrischen Injektion spinpolarisierter Elektronen in ein zweidimensionales Elektronengas (2DEG) zu erbringen. Hochbewegliche GaAs/AlGaAs-2DEG-Heterostrukturen wurden mit Kontakten aus dem verdünnten magnetischen Halbleiter ZnMnSe versehen, ...

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Übersetzung der Zusammenfassung (Englisch)

In this thesis the reader is lead into the development and fabrication of semiconductor heterostructures to detect the injection of a spinpolarized current into a two dimensional electron gas (2DEG) solely by electrical transport measurements. For this purpose GaAs/AlGaAs-2DEG-heterostructures featuring a very high electron mobility have been combined with semimagnetic ZnMnSe contacts ...

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