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Long range strain and electrical potential induced by single edge dislocations in GaN

Gmeinwieser, Nikolaus und Gottfriedsen, P. und Schwarz, Ulrich und Wegscheider, Werner und Clos , R. und Krtschil, A. und Krost, A. und Engl, Karl und Weimar, A. und Brüderl, G. und Lell, Alfred und Härle, Volker (2006) Long range strain and electrical potential induced by single edge dislocations in GaN. Physica B Condensed Matter 376-37, S. 451-454.

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Zusammenfassung

A dipole like strain state is induced by threading edge dislocations emerging at the surface of gallium nitride (GaN) bulk substrates. This local strain is calculated by means of a three-dimensional elastic deformation potential model, taking into account the free surface of the sample. The calculations are in excellent quantitative agreement with the strain state derived from line shifts of the ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:1 April 2006
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/j.physb.2005.12.116DOI
Klassifikation:
NotationArt
78.55.Cr; 61.72.Ff; 68.35.Gy; 73.20.At; 73.20.HbPACS
Stichwörter / Keywords:GaN; Dislocation; Strain; Potential
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:25 Jan 2010 13:09
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:30
Dokumenten-ID:12180
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