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All electrical measurement of spin injection in a magnetic p-n junction diode

Chen, PeiFeng und Moser, Jürgen und Kotissek, Philipp und Sadowski, Janusz und Zenger, Marcus und Weiss, Dieter und Wegscheider, Werner (2006) All electrical measurement of spin injection in a magnetic p-n junction diode. Physical Review B 74 (24), 241302R.

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Zusammenfassung

Magnetic p-n junction diodes are fabricated to investigate spin-polarized electron transport. The injection of spin-polarized electrons in a semiconductor is achieved by driving electrons from a ferromagnetic injector (Fe), into a bulk semiconductor (n-GaAs) via Schottky contact. For detection, a diluted magnetic semiconductor (p-GaMnAs) layer is used. Clear magnetoresistance was observed only when a high forward bias was applied across the p-n junction.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:2006
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Projekte:SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevB.74.241302DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.74.241302Verlag
Klassifikation:
NotationArt
72.25.−b, 85.75.−dPACS
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:25 Jan 2010 13:34
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:32
Dokumenten-ID:12214
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