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Annealing-induced transition from a (311)A-oriented Ga0.98Mn0.02As alloy to a GaMnAs/MnAs hybrid structure studied by angle-dependent magnetotransport

Elm, M. T. und Klar, P. J. und Heimbrodt, W. und Wurstbauer, Ursula und Reinwald, Matthias und Wegscheider, Werner (2008) Annealing-induced transition from a (311)A-oriented Ga0.98Mn0.02As alloy to a GaMnAs/MnAs hybrid structure studied by angle-dependent magnetotransport. Journal of Applied Physics 103 (9), 093710.

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Zusammenfassung

The angle-dependent behavior of the magneto-resistance of a series of low-temperature molecular beam epitaxy grown Ga0.98Mn0.02As samples on (311)A-GaAs-substrates is studied. The samples are annealed at different temperatures in a range from 300 °C to 500 °C, which leads to a redistribution of the manganese in the sample and finally to the formation of MnAs clusters. As a consequence, the ...

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Bibliographische Daten exportieren



Dokumentenart:Artikel
Datum:7 Mai 2008
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.2917414DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aip.org/link/?JAPIAU/103/093710/1Verlag
Klassifikation:
NotationArt
73.61.Ey; 75.50.Pp; 75.47.Pq; 68.55.A-; # 61.72.Cc; 73.50.JtPACS
Stichwörter / Keywords:annealing, gallium arsenide, gallium compounds, III-V semiconductors, magnetic anisotropy, magnetic epitaxial layers, magnetoresistance, manganese compounds, molecular beam epitaxial growth, semiconductor epitaxial layers, semimagnetic semiconductors
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:25 Jan 2010 14:02
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:43
Dokumenten-ID:12505
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