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Ferromagnetic GaMnAs grown on (110) faced GaAs

Wurstbauer, Ursula und Sperl, Matthias und Soda, Marcello und Neumaier, Daniel und Schuh, Dieter und Bayreuther, Günther und Zweck, Josef und Wegscheider, Werner (2008) Ferromagnetic GaMnAs grown on (110) faced GaAs. Applied Physics Letters 92 (10), S. 102506.

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Zusammenfassung

Thin Ga0.94Mn0.06As layers have been grown by low temperature molecular beam epitaxy on (110) GaAs substrates and on [110] and [−110] oriented GaAs cleaved edges. The Curie temperatures TC for the as-grown samples ranges from 46 to 80 K. After annealing at low temperatures TC increases up to 115 K. In addition, magnetic anisotropies determined by superconducting quantum interference device magnetometry and magnetotransport measurements are reported.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:11 März 2008
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.2884683DOI
Verwandte URLs:
URLURL Typ
http://link.aip.org/link/?APPLAB/92/102506/1Verlag
Klassifikation:
NotationArt
81.05.Ea; 81.15.Hi; 68.55.ag; 75.50.Pp; 75.50.Dd; 73.61.EyPACS
Stichwörter / Keywords:annealing, Curie temperature, ferromagnetic materials, gallium arsenide, galvanomagnetic effects, III-V semiconductors, magnetic anisotropy, magnetic epitaxial layers, manganese compounds, molecular beam epitaxial growth, semiconductor epitaxial layers, semiconductor growth, semimagnetic semiconductors
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:01 Feb 2010 13:07
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:48
Dokumenten-ID:12636
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