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Gain spectra and current-induced change of refractice index in (In/Al)GaN diode lasers

Schwarz, Ulrich und Sturm, Evi und Wegscheider, Werner und Kümmler, V. und Lell, Alfred und Härle, Volker (2003) Gain spectra and current-induced change of refractice index in (In/Al)GaN diode lasers. physica status solidi a 200 (1), S. 143-146.

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Zusammenfassung

Adapting the Hakki-Paoli method for blue laser diodes we measure gain spectra for (In/Al)GaN on SiC substrate laser diodes in the low carrier density regime. From the measured longitudinal mode spacing we calculate the effective refractive index and can exclude a mode spacing anomaly. We demonstrate that the substrate has a considerable influence on the modal gain.


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Dokumentenart:Artikel
Datum:Oktober 2003
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1002/pssa.200303340DOI
Klassifikation:
NotationArt
42.55.Px; 42.60.Lh; 78.30.FsPACS
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:08 Feb 2010 13:45
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 12:50
Dokumenten-ID:12756
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