Startseite UR

Circular photogalvanic effect at inter-band excitation in semiconductor quantum wells

Bel'kov, V. und Ganichev, Sergey und Schneider, Petra und Back, Christian und Oestreich, M. und Rudolf, J. und Hägele, D. und Golub, L. und Wegscheider, Werner und Prettl, Wilhelm (2003) Circular photogalvanic effect at inter-band excitation in semiconductor quantum wells. Solid State Communications 128 (8), S. 283-286.

[img]PDF
Download (150kB) - Nur für Mitarbeiter des Archivs

Zum Artikel beim Verlag (über DOI)


Zusammenfassung

We observed a circular photogalvanic effect (CPGE) in GaAs quantum wells at inter-band excitation. The spectral dependence of the CPGE is measured together with that of the polarization degree of the time-resolved photoluminescence. A theoretical model takes into account spin splitting of conduction and valence bands.


Bibliographische Daten exportieren



Dokumentenart:Artikel
Datum:November 2003
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Back > Arbeitsgruppe Christian Back
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1016/j.ssc.2003.08.022DOI
Stichwörter / Keywords:A. Quantum wells; D. Spin-orbit effects
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:20 Mrz 2007
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 10:09
Dokumenten-ID:1913
Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags

Downloads

Downloads im Monat während des letzten Jahres

  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de

Dissertationen: dissertationen@ur.de

Forschungsdaten: daten@ur.de

Ansprechpartner