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Ionization of impurities in semiconductors by intense FIR radiation

Ganichev, Sergey (2003) Ionization of impurities in semiconductors by intense FIR radiation. In: Svechnikov, Sergey V. und Valakh, Mikhail Y., (eds.) Selected Papers on Optics and Photonics: Optical Diagnostics of Materials and Devices for Opto-, Micro-, and Quantum Electronics. Proceedings of SPIE, 5024. SPIE, Bellingham, Washington, S. 12-23. ISBN 0819448257; 9780819448255.

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Zusammenfassung

An analysis is made of the ionization of deep impurity centers induced by high-intensity terahertz radiation whose photon energies are tens of times lower than the impurity ionization energy. Under these conditions, ionization can be described as phonon-assisted tunneling in which carrier emission is accompanied by defect tunneling in configuration space and electron tunneling in the electric ...

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Dokumentenart:Buchkapitel
Datum:April 2003
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1117/12.497302DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:17 Nov 2009 04:12
Dokumenten-ID:2177
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