Startseite UR

Characterization of deep impurities in semiconductors by terahertz tunneling ionization

Ziemann, E. und Ganichev, Sergey und Yassievich, Irina und Perel, V. und Prettl, Wilhelm (2000) Characterization of deep impurities in semiconductors by terahertz tunneling ionization. Journal of Applied Physics 87 (8), S. 3843-3849.

[img]
Vorschau
PDF
Download (129kB)

Zum Artikel beim Verlag (über DOI)

Andere URL zum Volltext: http://www.physik.uni-regensburg.de/forschung/ganichev/reprints/applied_physics2000p3843_characterization.pdf


Zusammenfassung

Tunneling ionization in high frequency fields as well as in static fields is suggested as a method for the characterization of deep impurities in semiconductors. It is shown that an analysis of the field and temperature dependences of the ionization probability allows to obtain defect parameters like the charge of the impurity, tunneling times, the Huang–Rhys parameter, the difference between ...

plus


Bibliographische Daten exportieren



Dokumentenart:Artikel
Datum:April 2000
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.372423DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 10:16
Dokumenten-ID:2208
Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags

Downloads

Downloads im Monat während des letzten Jahres

  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de

Dissertationen: dissertationen@ur.de

Forschungsdaten: daten@ur.de

Ansprechpartner