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Characterization of deep impurities in semiconductors by terahertz tunneling ionization

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-22081
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.2208
Ziemann, E. ; Ganichev, Sergey ; Yassievich, Irina ; Perel, V. ; Prettl, Wilhelm
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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:37


Zusammenfassung

Tunneling ionization in high frequency fields as well as in static fields is suggested as a method for the characterization of deep impurities in semiconductors. It is shown that an analysis of the field and temperature dependences of the ionization probability allows to obtain defect parameters like the charge of the impurity, tunneling times, the Huang–Rhys parameter, the difference between ...

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