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Effect of pulsed FIR laser radiation on tunnel and channel resistance of delta-doped GaAs

Kotel'nikov, I. und Shul'man, A. und Mordovets, N. und Varvanin, N. und Ganichev, Sergey und Mayerhofer, B. und Prettl, Wilhelm (1995) Effect of pulsed FIR laser radiation on tunnel and channel resistance of delta-doped GaAs. In: Towe, E., (ed.) Proceedings / 1995 International Semiconductor Device Research Symposium, December 5 - 8, 1995, Band 1. Engineering Academic Outreach, University of Virginia, Charlottesville, Va., S. 99. ISBN 1-88092-003-4.

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Andere URL zum Volltext: http://www.physik.uni-regensburg.de/forschung/ganichev/reprints/Proceedings_ISDRS_Charlotesville_1995p99effect_of_pulsed.pdf


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Dokumentenart:Buchkapitel
Datum:1995
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Professor Ganichev > Arbeitsgruppe Sergey Ganichev
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:05 Okt 2007
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 10:17
Dokumenten-ID:2250
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