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Nonuniform current and spin accumulation in a 1 μm thick n-GaAs channel

Endres, Bernhard und Ciorga, Mariusz und Wagner, Robert und Ringer, Sebastian und Utz, Martin und Bougeard, Dominique und Weiss, Dieter und Back, Christian H. und Bayreuther, Günther (2012) Nonuniform current and spin accumulation in a 1 μm thick n-GaAs channel. Applied Physics Letters 100, S. 92405.

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Andere URL zum Volltext: http://dx.doi.org/10.1063/1.3691175


Zusammenfassung

The spin accumulation in a n-GaAs channel produced by spin extraction into a (Ga,Mn)As contact is measured by cross-sectional imaging of the spin polarization in GaAs. The spin polarization is observed in a 1 μm thick n-GaAs channel with the maximum polarization near the contact edge opposite to the maximum current density. The one-dimensional model of electron drift and spin diffusion, ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:1 März 2012
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Back > Arbeitsgruppe Christian Back
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Weiss > Arbeitsgruppe Dieter Weiss
Projekte:SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.3691175 DOI
Klassifikation:
NotationArt
72.25.Dc, 75.30.Ds, 75.30.Wx, 75.40.Gb, 75.50.Pp, 75.78.CdPACS
Stichwörter / Keywords:current density, gallium arsenide, Hanle effect, III-V semiconductors, numerical analysis, spin dynamics, spin polarised transport PACS
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:06 Mrz 2012 07:14
Zuletzt geändert:24 Okt 2016 14:05
Dokumenten-ID:23534
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