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Tunneling anisotropic magnetoresistance effect in p+(Ga,Mn)As/n+GaAs Esaki diode

Ciorga, Mariusz und Einwanger, Andreas und Sadowski, J. und Wegscheider, Werner und Weiss, Dieter (2007) Tunneling anisotropic magnetoresistance effect in p+(Ga,Mn)As/n+GaAs Esaki diode. Phys. Stat. Sol. A 204, S. 186.

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Zusammenfassung

We have performed magnetotransport experiments on p+-(Ga,Mn)As/n+-GaAs Esaki diode devices. The spin-valve-like signal was observed in these devices in an in-plane magnetic field configuration due to Tunneling Anisotropic Magnetoresistance effect. The pattern of the observed magnetic reversal process strongly depends on the observed magnetic anisotropy of the (Ga,Mn)As layer - depending on its ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2007
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Weiss > Arbeitsgruppe Dieter Weiss
Projekte:SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:15 Nov 2007
Zuletzt geändert:20 Jan 2010 04:06
Dokumenten-ID:2622
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