Startseite UR

Few electron double quantum dot in an isotopically purified 28Si quantum well

Wild, A. und Kierig, Johannes und Sailer, J. und Ager, III, J. W. und Haller, E. E. und Abstreiter, Gerhard und Ludwig, S. und Bougeard, Dominique (2012) Few electron double quantum dot in an isotopically purified 28Si quantum well. Appl. Phys. Lett. 100, S. 143110.

[img]
Vorschau
Lizenz: Allianz- bzw. Nationallizenz
PDF - Veröffentlichte Version
Download (1MB)

Zum Artikel beim Verlag (über DOI)


Zusammenfassung

We present a few electron double quantum dot device defined in an isotopically purified 28Si quantum well (QW). An electron mobility of 5.5·104cm2(Vs)-1 is observed in the QW, which is the highest mobility ever reported for a two-dimensional electron system in 28Si. The residual concentration of 29Si nuclei in the 28Si QW is lower than 103ppm, at the verge where the hyperfine interaction is ...

plus


Bibliographische Daten exportieren



Dokumentenart:Artikel
Datum:6 April 2012
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Huber > Arbeitsgruppe Dominique Bougeard
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.3701588 DOI
Klassifikation:
NotationArt
73.40.LqPACS
73.61.CwPACS
71.70.JpPACS
Stichwörter / Keywords:electron mobility, elemental semiconductors, Ge-Si alloys, hyperfine interactions, semiconductor heterojunctions, semiconductor quantum dots, semiconductor quantum wells, silicon
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Ja, diese Version wurde begutachtet
An der Universität Regensburg entstanden:Ja
Eingebracht am:23 Okt 2012 06:32
Zuletzt geändert:24 Okt 2016 13:47
Dokumenten-ID:26503
Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags

Downloads

Downloads im Monat während des letzten Jahres

  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de

Dissertationen: dissertationen@ur.de

Forschungsdaten: daten@ur.de

Ansprechpartner