Startseite UR

Laterally self-ordered silicon-germanium islands with optimized confinement properties

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-288403
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.28840
Zabel, Thomas ; Sircar, Narayan ; Hauke, Norman ; Zweck, Josef ; Döblinger, Markus ; Kaniber, Michael ; Finley, J. J. ; Abstreiter, Gerhard ; Arakawa, Y. ; Bougeard, Dominique
[img]
Vorschau
Lizenz: Allianz- bzw. Nationallizenz
PDF - Veröffentlichte Version
(743kB)
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 23 Sep 2013 12:07



Zusammenfassung

We present an analysis of the electronic confinement properties of self-assembled islands forming via silicon and germanium co-deposition in molecular beam epitaxy. This approach allows the fabrication of laterally self-ordered three dimensional islands in the Stranski-Krastanow growth mode. Using a systematic structural analysis, we derive a realistic fit-parameter free island model for band ...

plus


Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags
  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de
0941 943 -4239 oder -69394

Dissertationen: dissertationen@ur.de
0941 943 -3904

Forschungsdaten: datahub@ur.de
0941 943 -5707

Ansprechpartner