| Lizenz: Allianz- bzw. Nationallizenz PDF - Veröffentlichte Version (743kB) |
- URN zum Zitieren dieses Dokuments:
- urn:nbn:de:bvb:355-epub-288403
- DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
- 10.5283/epub.28840
Zusammenfassung
We present an analysis of the electronic confinement properties of self-assembled islands forming via silicon and germanium co-deposition in molecular beam epitaxy. This approach allows the fabrication of laterally self-ordered three dimensional islands in the Stranski-Krastanow growth mode. Using a systematic structural analysis, we derive a realistic fit-parameter free island model for band ...
Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags