Startseite UR

High-lying valley-polarized trions in 2D semiconductors

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-532246
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.53224
Lin, Kai-Qiang ; Ziegler, Jonas D. ; Semina, Marina A. ; Mamedov, Javid V. ; Watanabe, Kenji ; Taniguchi, Takashi ; Bange, Sebastian ; Chernikov, Alexey ; Glazov, Mikhail M. ; Lupton, John M.
[img]Lizenz: Creative Commons Namensnennung 4.0 International
PDF - Veröffentlichte Version
(3MB)
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 28 Nov 2022 08:15



Zusammenfassung

Here, the authors observe tightly bound, valley-polarized, UV-emissive trions in monolayer transition metal dichalcogenide transistors. These are quasiparticles composed of an electron from a high-lying conduction band with negative effective mass, a hole from the first valence band, and an additional charge from a band-edge state. Optoelectronic functionalities of monolayer transition-metal ...

plus


Nur für Besitzer und Autoren: Kontrollseite des Eintrags
  1. Universität

Universitätsbibliothek

Publikationsserver

Kontakt:

Publizieren: oa@ur.de
0941 943 -4239 oder -69394

Dissertationen: dissertationen@ur.de
0941 943 -3904

Forschungsdaten: datahub@ur.de
0941 943 -5707

Ansprechpartner