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Superlinear Photogalvanic Effects in (Bi0.3Sb0.7)2(Te0.1Se0.9)3: Probing Three-Dimensional Topological Insulator Surface States at Room Temperature

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-537988
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.53798
Danilov, Sergey N. ; Golub, Leonid E. ; Mayer, T. ; Beer, A. ; Binder, Stefan ; Mönch, E. ; Minár, J. ; Kronseder, Matthias ; Back, Christian H. ; Bougeard, Dominique ; Ganichev, Sergey D.
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Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 15 Feb 2023 16:44



Zusammenfassung

We report on the observation of a complex nonlinear intensity dependence of the circular and linear photogalvanic currents induced by infrared radiation in compensated (Bi0.3Sb0.7)(2) (Te0.1Se0.9)(3) three-dimensional topological insulators. The photocurrents are induced by direct optical transitions between topological surface and bulk states. We show that an increase in the radiation intensity ...

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