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Magnetic ordering effects in a Mn-modulation-doped high mobility two-dimensional hole system

Wurstbauer, Ursula und Wegscheider, Werner (2009) Magnetic ordering effects in a Mn-modulation-doped high mobility two-dimensional hole system. Physical Review B 79 (15), S. 155444-1.

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Zusammenfassung

We have studied the magnetotransport properties of a manganese (Mn)-modulation-doped high mobility two-dimensional hole system in a strained InAs quantum well (QW) structure. At precisely T=600 mK a phase transition from paramagnetism to ferromagnetism can be observed by a change of the low-field magnetotransport behavior and hysteresis. In the magnetically ordered phase a superposition of ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:2009
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Projekte:SFB 689: Spinphänomene in reduzierten Dimensionen
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevB.79.155444DOI
Klassifikation:
NotationArt
71.18.+y; 71.55.Eq; 72.15.Rn; 73.43.QtPACS
Stichwörter / Keywords:doping profiles, effective mass, ferromagnetic-paramagnetic transitions, Hall effect, hole mobility, III-V semiconductors, indium compounds, magnetic hysteresis, magnetic moments, manganese, molecular beam epitaxial growth, semiconductor doping, semiconductor quantum wells, semimagnetic semiconductors, Shubnikov-de Haas effect, weak localisation
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Zum Teil
Eingebracht am:30 Jun 2009 08:18
Zuletzt geändert:05 Aug 2009 13:59
Dokumenten-ID:8300
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