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Magnetic ordering effects in a Mn-modulation-doped high mobility two-dimensional hole system

URN zum Zitieren dieses Dokuments:
urn:nbn:de:bvb:355-epub-83004
DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
10.5283/epub.8300
Wurstbauer, Ursula ; Wegscheider, Werner
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PDF - Veröffentlichte Version
(526kB)
Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 05 Aug 2009 13:59



Zusammenfassung

We have studied the magnetotransport properties of a manganese (Mn)-modulation-doped high mobility two-dimensional hole system in a strained InAs quantum well (QW) structure. At precisely T=600 mK a phase transition from paramagnetism to ferromagnetism can be observed by a change of the low-field magnetotransport behavior and hysteresis. In the magnetically ordered phase a superposition of ...

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