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Acoustic plasmons and indirect intersubband excitations in tunneling-coupled GaAs-AlxGa1ÀxAs double quantum wells

Bootsmann, M.-T. und Hu, C. M. und Heyn, Ch. und Heitmann, Detlef und Schüller, Christian (2003) Acoustic plasmons and indirect intersubband excitations in tunneling-coupled GaAs-AlxGa1ÀxAs double quantum wells. Physical Review B (PRB) 67; 4 , S. 121309.

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Zusammenfassung

In photoluminescence spectroscopy of a low-mobility two-dimensional electron gas subjected to a quantizing magnetic field, we observe an anomaly around nu= (1/3) at a very low temperature (0.1 K) and an intermediate electron density (0.9×1011 cm–2). The anomaly is explained as due to perturbation of the incompressible liquid at the Laughlin state due to close proximity of a localized charged ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:31 März 2003
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Lehrstuhl Professor Lupton > Arbeitsgruppe Christian Schüller
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1103/PhysRevB.67.121309DOI
Stichwörter / Keywords:gallium arsenide, aluminium compounds, III-V semiconductors, semiconductor quantum wells, plasmons, light scattering, carrier density, RPA calculations
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:21 Sep 2009 07:14
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 11:01
Dokumenten-ID:9494
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