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Transmission electron microscopy of short-period Si/Ge strained-layer superlattices on Ge substrates

Wegscheider, Werner und Eberl, Karl und Cerva, H. und Oppolzer, H. (1989) Transmission electron microscopy of short-period Si/Ge strained-layer superlattices on Ge substrates. Applied Physics Letters 55 (5), S. 448.

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Zusammenfassung

Structural investigations of high quality Si/Ge strained-layer superlattices (SLSs) on [001] oriented Ge substrates prepared by molecular beam epitaxy are presented. Cross-sectional transmission electron microscopy reveals that a defect-free superlattice is achieved for a structure composed of a 20-period sequence of 3 monolayers (ML) Si and 9 ML Ge. High-resolution lattice images and electron ...

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Dokumentenart:Artikel
Datum:30 Juli 1989
Institutionen:Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider
Identifikationsnummer:
WertTyp
10.1063/1.101871DOI
Dewey-Dezimal-Klassifikation:500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik
Status:Veröffentlicht
Begutachtet:Unbekannt / Keine Angabe
An der Universität Regensburg entstanden:Unbekannt / Keine Angabe
Eingebracht am:26 Okt 2009 13:08
Zuletzt geändert:13 Mrz 2014 11:11
Dokumenten-ID:9977
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