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Cleaved edge overgrowth for quantum wire fabrication
Pfeiffer, Loren, Stormer, H. L., Baldwin, K. W., West, K. W., Goñi, A. R., Pinczuk, A., Ashoori, R. C., Dignam, M. M. und Wegscheider, Werner (1993) Cleaved edge overgrowth for quantum wire fabrication. Journal of Crystal Growth 127 (1-4), S. 849-857.Veröffentlichungsdatum dieses Volltextes: 26 Okt 2009 14:11
Artikel
DOI zum Zitieren dieses Dokuments: 10.5283/epub.10010
Zusammenfassung
We review a new molecular beam epitaxy (MBE) technique we call cleaved edge overgrowth (CEO), which makes possible fabrication of quantum wires or other lower dimensional quantum structures with atomic precision. CEO is accomplished by performing two separate MBE overgrowths separated by an in situ cleave of the substrate sample. We review our development of this novel method and give several examples of new structures recently fabricated using it.
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Beteiligte Einrichtungen
Details
| Dokumentenart | Artikel | ||||
| Titel eines Journals oder einer Zeitschrift | Journal of Crystal Growth | ||||
| Verlag: | Elsevier | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| Band: | 127 | ||||
| Nummer des Zeitschriftenheftes oder des Kapitels: | 1-4 | ||||
| Seitenbereich: | S. 849-857 | ||||
| Datum | 1993 | ||||
| Institutionen | Physik > Institut für Experimentelle und Angewandte Physik > Entpflichtete oder im Ruhestand befindliche Professoren > Arbeitsgruppe Werner Wegscheider | ||||
| Identifikationsnummer |
| ||||
| Dewey-Dezimal-Klassifikation | 500 Naturwissenschaften und Mathematik > 530 Physik | ||||
| Status | Veröffentlicht | ||||
| Begutachtet | Unbekannt / Keine Angabe | ||||
| An der Universität Regensburg entstanden | Unbekannt / Keine Angabe | ||||
| Dokumenten-ID | 10010 |
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