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Untersuchungen zur metallorganischen Gasphasenepitaxie von Gruppe III Nitriden auf Silizium (111)

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DOI to cite this document:
Able, Andreas
Date of publication of this fulltext: 31 Jan 2005 09:41

Abstract (German)

Ziel der vorliegenden Arbeit war es, einen geeigneten Epitaxieprozess für die Abscheidung einkristalliner Gruppe III-Nitrid Schichten auf Silizium zu entwickeln. Als Methode wurde dazu die metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) verwendet. In Kapitel 1-3 werden zunächst die wichtigsten Fakten zu den Gruppe-III Nitriden zusammengefasst, die experimentellen Charakterisierungsmethoden erläutert, ...


Translation of the abstract (English)

In the last few years the attention on silicon as a potential substrate for nitride heterostructures has grown because of its low price, high quality, and availability in a wide range of doping levels. Furthermore, there might be the possibility of combining conventional Si based structures with group III-nitride films on a single wafer. Although the crystal structure of silicon is cubic, the ...


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