Go to content
UR Home

Untersuchungen zur metallorganischen Gasphasenepitaxie von Gruppe III Nitriden auf Silizium (111)

URN to cite this document:
urn:nbn:de:bvb:355-opus-4534
DOI to cite this document:
10.5283/epub.10283
Able, Andreas
Date of publication of this fulltext: 31 Jan 2005 09:41


Abstract (German)

Ziel der vorliegenden Arbeit war es, einen geeigneten Epitaxieprozess für die Abscheidung einkristalliner Gruppe III-Nitrid Schichten auf Silizium zu entwickeln. Als Methode wurde dazu die metallorganische Gasphasenepitaxie (MOVPE) verwendet. In Kapitel 1-3 werden zunächst die wichtigsten Fakten zu den Gruppe-III Nitriden zusammengefasst, die experimentellen Charakterisierungsmethoden erläutert, ...

plus

Translation of the abstract (English)

In the last few years the attention on silicon as a potential substrate for nitride heterostructures has grown because of its low price, high quality, and availability in a wide range of doping levels. Furthermore, there might be the possibility of combining conventional Si based structures with group III-nitride films on a single wafer. Although the crystal structure of silicon is cubic, the ...

plus


Owner only: item control page
  1. Homepage UR

University Library

Publication Server

Contact:

Publishing: oa@ur.de
0941 943 -4239 or -69394

Dissertations: dissertationen@ur.de
0941 943 -3904

Research data: datahub@ur.de
0941 943 -5707

Contact persons