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- URN zum Zitieren dieses Dokuments:
- urn:nbn:de:bvb:355-opus-5282
- DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
- 10.5283/epub.10321
Zusammenfassung (Deutsch)
Ferroelektrische Transistoren gelten als viel versprechende Bauelemente im Hinblick auf die Entwicklung neuer, nicht-flüchtiger mikroelektronischer Speicher. In dieser Arbeit werden Möglichkeiten zum Bau solcher Transistoren und daraus bestehender Speicher untersucht. Behandelt werden insbesondere Fragen des Transistoraufbaus, der Materialauswahl, der Herstellung und Charakterisierung, aber auch ...
Übersetzung der Zusammenfassung (Englisch)
The ferroelectric field effect transistor is considered a promising candidate for future non-volatile memories in microelectronics. In this work we investigate different possibilities for building a ferroelectric transistor and memory cells composed of such transistors. Special emphasis is put on transistor gate stack design, materials to be used, processing and characterization of gate stacks, ...
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