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Herstellung und Charakterisierung vollständig epitaktischer magnetischer Tunnelelemente mit Halbleiterbarriere

URN to cite this document:
urn:nbn:de:bvb:355-opus-5495
DOI to cite this document:
10.5283/epub.10339
Dumm, Martin
Date of publication of this fulltext: 13 Sep 2005 07:01


Abstract (German)

Im Rahmen dieser Arbeit sollte getestet werden, ob vollständig einkristalline Tunnelmagnetowiderstandselemente mit einer Halbleiterbarriere und ausreichend scharfen Grenzflächen durch epitaktische Schichtabscheidung hergestellt werden können. Die Schwerpunkte waren dabei das Wachstum und die laterale Strukturierung des Schichtsystems, das Umschaltverhalten der beiden magnetischen Schichten und ...

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Translation of the abstract (English)

Within this Ph.D thesis it should be investigated, if single crystal tunnel-magneto-resistance-elements with sharp interfaces can fabricated by epitaxial growth of the metals and the semiconductor. The main focus was set on the growth and the lateral patterning of the film system, the switching of the two magnetic layers and the transport measurements, which finally show a magneto-resistance ...

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