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Herstellung und Charakterisierung von ferromagnetischem GaMnAs auf der GaAs (001)- und (311)A-Oberfläche

URN to cite this document:
urn:nbn:de:bvb:355-opus-6333
Reinwald, Matthias
Date of publication of this fulltext: 09 Mar 2006 07:44


Abstract (German)

Die im Rahmen dieser Arbeit aufgebaute Zwei-Kammer-Molekularstrahlepitaxieanlage ermöglicht es, sowohl GaAs/AlGaAs-Heterostrukturen mit hohen Elektronenbeweglichkeiten als auch den verdünnten magnetische Halbleiter GaMnAs herzustellen. Ferromagnetisches GaMnAs mit einigen Prozent Mangan zeigt in der Regel metallisches Verhalten, wobei Löcher als Ladungsträger dienen. Insofern wäre es interessant, ...

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Translation of the abstract (English)

The two-chamber molecular beam epitaxy system that was built for this thesis permits to produce GaAs/AlGaAs-heterostructures with high electron mobilities as well as the diluted magnetic semiconductor GaMnAs. Ferromagnetic GaMnAs with manganese concentrations of some percent shows usually metallich behaviour, with holes acting as charge carriers. So it might be promissing to carry out spin ...

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