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TMR- und TAMR-Effekt beim Tunneln durch einkristalline GaAs-Barrieren

URN to cite this document:
urn:nbn:de:bvb:355-opus-8783
Moser, Jürgen
Date of publication of this fulltext: 28 Nov 2007 12:10


Abstract (German)

Im Rahmen dieser Arbeit wurde der Transport von spinpolarisierten Elektronen über eine ideale Fe/GaAs-Grenzfläche untersucht. Die aufgrund der Präparationsmethode entstehende natürliche Oxidschicht auf der GaAs-Barriere wurde mit einer Wasserstoffplasma-Vorbehandlung reduziert, um damit die Grenzfläche bezüglich der Spininjektion zu optimieren. Außerdem wurde durch den Einsatz einer ...

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Translation of the abstract (English)

The transport of spin polarized electrons through a Fe/GaAs-interface was investigated. The native oxide layer on the GaAs-barrier which is formed during the sample preparation was reduced with hydrogen plasma to optimize the spin injection. To realize an epitaxial Fe/GaAs interface an UHV-transport chamber was used as well as As-covered wafers. Using hydrogen plasma pretreatment on both ...

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