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- URN zum Zitieren dieses Dokuments:
- urn:nbn:de:bvb:355-opus-10469
- DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
- 10.5283/epub.10781
Zusammenfassung (Deutsch)
In dieser Arbeit wurden erstmals GaN/AlGaN-Strukturen mittels der photogalvanischen Effekte untersucht. Zu diesem Zweck wurde einer der weltweit stärksten gepulsten Laser im Terahertzbereich aufgebaut und ein computergesteuertes Messystem entwickelt. Darüberhinaus wird in dieser Arbeit eine Anwendung der photogalvanischen Effekte vorgestellt, eine Detektoranordnung, die es erlaubt auf rein elektrische Art die Polarisationseigenschaften von Terahertzstrahlung zu erfassen.
Übersetzung der Zusammenfassung (Englisch)
In this work photogalvanic effects where investigated in GaN/AlGaN heterostructures for the first time. For this purpose one of the strongest pulsed terahertz-lasers in the world was built and a computer controlled measurement system was developed. Additionally in this work an application of photogalvanic effects is presented, a pure-electric detection system, which allowes to determine the polarisation state of terahertz radiation in sub-nanosecond time resolution.
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