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- URN zum Zitieren dieses Dokuments:
- urn:nbn:de:bvb:355-opus-10740
- DOI zum Zitieren dieses Dokuments:
- 10.5283/epub.10789
Zusammenfassung (Deutsch)
Auf GaAs/AlGaAs-Heterostrukturen beruhende zweidimensional leitfähige Elektronensysteme (2DES) zeichnen sich bei Magnetotransportexperimenten unter anderem durch das Auftreten des quantisierten Halleffektes aus. In dieser Arbeit wurden extrem hochbewegliche 2DES im Regime ballistischen Ladungstransports untersucht. Das ballistische Regime wurde durch Strukturierung von Hallbars in der ...
Übersetzung der Zusammenfassung (Englisch)
Two-dimensional electron systems (2DES) based on GaAs/AlGaAs heterojunctions are primarily characterized by the appearance of the quantized Hall effect in magnetotransport experiments. In this thesis we studied ultra high mobility 2DES in the regime of ballistic transport. The ballistic regime is achived by patterning Hallbar structures in a size of only a few micrometers. A new type of magnetic ...